| 摘要 |
【課題】ＩｎＧａＡｓのようなシリコン原子のドーピング効率が低い半導体結晶であっても、少ないシリコン原子の導入量で十分な電気伝導度が得られる技術を提供する。【解決手段】ｐ型またはｎ型の第１伝導型を示す第１半導体結晶層と、第１伝導型とは異なる第２伝導型を示す第２半導体結晶層と、第１伝導型を示し、第２半導体結晶層よりバンドギャップが大きい第３半導体結晶層と、第１伝導型を示し、第３半導体結晶層よりバンドギャップが小さい第４半導体結晶層と、を有する半導体基板であって、第４半導体結晶層が、第１伝導型を示す第１キャリアの発生源となる第１原子と、第２伝導型を示す第２キャリアの発生源となる第２原子とを含み、第４半導体結晶層が、ホール効果測定において、１×１０１９〔ｃｍ−３〕以上のキャリア濃度、および１０００〔ｃｍ２／Ｖｓ〕以上の移動度、を有する半導体基板を提供する。【選択図】図１ |
