发明名称 R−T−B系永久磁石薄膜
摘要 【課題】R−T−B系主相粒子の磁化容易軸と薄膜面内方向とのなす角度を小さくすることで、R−T−B系永久磁石薄膜の面内方向における高い残留磁束密度を得ること。【解決手段】薄膜の垂直方向の断面において、粒界三重点のRリッチ相の断面形状を多角形に近似した際の、前記多角形をなす斜辺のうち少なくとも1辺を、薄膜基板垂線となす角度が60°より小さくすることで、前記斜辺と直角な関係を持つ、前記斜辺に隣接するR−T−B系主相粒子の磁化容易軸と薄膜面内方向とのなす角度が小さくなる。これにより、本R−T−B系永久磁石薄膜は薄膜面内方向における高い残留磁束密度を得ることができる。【選択図】図1
申请公布号 JP2017011086(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20150124570 申请日期 2015.06.22
申请人 TDK株式会社 发明人 佐藤 拓也;永峰 佑起;鈴木 健一;橋本 龍司;福地 英一郎
分类号 H01F1/057;H01F10/14 主分类号 H01F1/057
代理机构 代理人
主权项
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