发明名称 |
単一素子超音波トランスデューサの大量生産 |
摘要 |
単一素子超音波トランスデューサが、多数のトランスデューサ素子を同時にもたらす積層物プレートから製造される。積層物プレートは、圧電セラミックと、整合層と、背面電極を備えるバッキング層とを含む。積層物プレートは、日東テープの上に取り付けられながらダイシングされ、ダイシング後に個々の素子を所定の位置に保持する。素子の両側は絶縁被膜で覆われ、それは、実装トランスデューサ素子及び戻り導電体をフレックス回路上に金属的に塗装することにより背面電極をフレックス回路の信号導電体及び整合層を戻り導電体に結合させることによって、トランスデューサ素子がフレックス回路の上に表面実装されるのを許容する。 |
申请公布号 |
JP2017501611(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
申请号 |
JP20160527369 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKONINKLIJKE PHILIPS N.V. |
发明人 |
クラーク,デニス ディーン;シェイラー,バリー カール |
分类号 |
H04R17/00;G01N29/24;H01L41/053;H01L41/09;H01L41/113 |
主分类号 |
H04R17/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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