发明名称 |
コンタクトプローブ型温度検出器、半導体装置の評価装置および半導体装置の評価方法 |
摘要 |
【課題】半導体装置の電気的特性を評価する際に気中放電を抑制し、かつ、半導体装置の温度を精度よく検出することが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】コンタクトプローブ型温度検出器である温度検出用プローブ7は、被測定物である半導体装置5と接触可能なプランジャ部12と、プランジャ部12の基端部に配置されるバネ部材17と、バネ部材17を介してプランジャ部12を半導体装置5側に押圧するバレル部14と、半導体装置5の温度を検出する測温部である熱電対19とを備えている。【選択図】図5 |
申请公布号 |
JP2017009449(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
申请号 |
JP20150125432 |
申请日期 |
2015.06.23 |
申请人 |
三菱電機株式会社 |
发明人 |
山下 欽也;野口 貴也;岡田 章;秋山 肇;上野 和起 |
分类号 |
G01K1/14;G01K7/02;G01K7/18;G01K7/22;H01L21/66 |
主分类号 |
G01K1/14 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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