順次ＣＶＤプロセスによる低フッ素タングステンの堆積

摘要

【課題】低フッ素含有量を有する低応力タングステン膜を形成するための方法の提供。【解決手段】１０Ｔｏｒｒ以下のチャンバ圧力の下で、基板に還元剤と第１のタングステン含有前駆体の交互パルスを２サイクル以上繰り返し暴露させてタングステン核形成層を堆積する工程（ａ）の後、タングステン核形成層上に水素と第２のタングステン含有前駆体の交互パルスに基板に暴露させてバルクタングステンを堆積させる工程（ｂ）を含むタングステン膜の形成方法。更に還元剤と第３のタングステン含有前駆体に同時に基板を暴露して第２のバルクタングステン層を堆積させる工程（ｃ）を含む方法。工程（ｂ）の二サイクル以上の実施毎に工程（ｃ）を実施し、工程（ｂ）の１サイクルには、水素のパルスと第２のタングステン含有前駆体のパルスが含まれる、方法。第１タングステン含有前駆体はフッ素フリーのものである、方法。【選択図】図７