发明名称 半導体装置
摘要 【課題】薄膜トランジスタの特性劣化の程度を小さくし、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。【解決手段】シフトレジスタに設けられたパルス出力回路において、パルスの出力が行われない非選択期間、ゲート電極がオンするように浮遊状態となっているトランジスタのゲート電極が接続されたノードに対し、クロック信号がトランジスタのゲート電極に入力されるように設けることで、定期的に電位を供給する。また、ブートストラップ動作を行うトランジスタのゲートにゲートが固定電位に接続されたトランジスタを設ける。【選択図】図1
申请公布号 JP2017011766(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20160203512 申请日期 2016.10.17
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 三宅 博之
分类号 H03K3/02 主分类号 H03K3/02
代理机构 代理人
主权项
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