发明名称 結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
摘要 【課題】電気特性などの半導体特性に優れた結晶性半導体膜及びこのような重水素を含む結晶性半導体膜を用いるダイオードやトランジスタなどの半導体を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜に、重水素を含有させて、好ましくは、膜表面の一部または全部における重水素濃度が1×1016(atoms/cm3)以上となるように含有させる。【選択図】図2
申请公布号 JP2017010966(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20150121583 申请日期 2015.06.16
申请人 株式会社FLOSFIA 发明人 織田 真也;徳田 梨絵;谷川 幸登;人羅 俊実
分类号 H01L21/365;C23C16/40;C30B29/16;H01L21/20 主分类号 H01L21/365
代理机构 代理人
主权项
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