| 摘要 |
【課題】カルコパイライト型半導体（以下、CIGSと称する）や結晶セレンを成膜した際に、このCIGS膜等とｎ型半導体層の界面の平面性を高めて、暗電流が小さく、感度の高い撮像素子を実現する。【解決手段】信号の読出処理を行う信号読出回路基板１の上方に結晶セレンからなるCIGS膜２を成膜する固体撮像素子の製造方法であって、まず、表面平面性を有するダミーの成膜基板１１の上方に、CIGS膜２を成膜し、このCIGS膜２の上面に、上記信号読出回路基板１の表側の面を接合して接合体を形成し、次に、この接合体から成膜基板１１を除去し、除去された該成膜基板１１が当接していた該接合体の面上に、少なくとも、ｎ型の半導体層３および透明導電膜４をこの順に積層して固体撮像素子１０を作製する。【選択図】図１ |
