| 摘要 |
高周波増幅回路（１０）は、高周波用の増幅器（１０１）、バイアス回路（２０）を備える。バイアス回路（２０）は、バイアス制御素子（１０２，１０３）を備える。バイアス制御素子（１０２）のエミッタは、抵抗（２０１）を介して増幅器（１０１）のベースに接続する。バイアス制御素子（１０３）のエミッタは、抵抗（２０３）を介してスイッチ素子（１０４）のコレクタに接続する。スイッチ素子（１０４）はエミッタ接地されている。バイアス制御素子（１０２）のエミッタとバイアス制御素子（１０３）のエミッタとの間には、抵抗（２０４）が接続されている。バイアス制御素子（１０２，１０３）のベースには、制御電圧（ＶＣＴＬ）が印加される。スイッチ素子（１０４）のベースには、動作モードに応じたバイアス電流調整用電圧（ＶＬＩＮ）が印加される。 |
