窒化物半導体装置および窒化物半導体基板

摘要

シリコン基板上に形成された窒化物半導体層の結晶性を向上し、電界効果トランジスタのオン抵抗の低減を実現できる窒化物半導体装置および窒化物半導体基板を提供する。窒化物半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された、窒化物半導体で構成される第一の窒化物半導体層とを備え、シリコン基板のＳｉ＜１１１＞軸の方向と第一の窒化物半導体層の＜０００１＞軸の方向とは、異なる。