多結晶シリコンロッドおよびその製造方法

摘要

【課題】本発明は、シリコン芯線に気相成長させて得る多結晶シリコンロッドであって、シリコン芯線界面における酸素濃度が低減された多結晶シリコンロッドを提供することを目的としている。【解決手段】シリコン芯線に気相成長させて得る多結晶シリコンロッドであって、前記シリコン芯線界面における酸素濃度が５〜２００ｐｐｂａである多結晶シリコンロッド。【選択図】図１