| 摘要 |
本明細書は、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置を開示する。ＩＧＢＴ領域は、コレクタ層と、ＩＧＢＴドリフト層と、ボディ層と、ゲート電極と、エミッタ層を備えている。ダイオード領域は、カソード層と、ダイオードドリフト層と、アノード層と、トレンチ電極と、アノードコンタクト層を備えている。ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されている。ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、アノード層とアノードコンタクト層が混在して配置されており、少なくともゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所に、アノードコンタクト層が配置されている。 |
