| 发明名称 |
炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置 |
| 摘要 |
【課題】エピタキシャル成長させるＳｉＣ半導体層のキャリア濃度を制御性良く形成可能なＳｉＣ半導体におけるエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】第１〜第３構成部３４ａ〜３４ｃのうち、第１〜第４導入口３１ａ〜３１ｄを構成する壁面を成長室側において傾斜させ、第１〜第４導入口３１ａ〜３１ｄの開口幅を成長室側に向けて徐々に広げる。これにより、各種ガスの導入範囲を広げられる。したがって、ＳｉＣ半導体基板７０の表面にほぼ面内分布無く均一に各種ガスを供給することが可能となる。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017011182(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
| 申请号 |
JP20150126929 |
申请日期 |
2015.06.24 |
| 申请人 |
株式会社デンソー;一般財団法人電力中央研究所;昭和電工株式会社 |
发明人 |
藤林 裕明;内藤 正美;原 一都;土田 秀一;鎌田 功穂;伊藤 雅彦;深田 啓介;上東 秀幸 |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/42;C23C16/455;C30B25/14;C30B29/36 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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