| 摘要 |
【課題】発生ライフタイムの測定を短時間ですることが可能な半導体基板の評価方法を提供する。【解決手段】ＭＯＳ構造を用いて半導体基板を評価する方法であって、半導体基板上に酸化膜を形成し、該酸化膜上に電極を形成してＭＯＳ構造を作製した後、コロナチャージ法により、前記半導体基板の前記酸化膜直下に空乏層が形成されるような極性を持つ電荷を前記電極上に堆積させ、該堆積させた電荷量の減衰に伴う電圧の変化を測定し、該測定した電圧の変化から発生ライフタイムを求めることを特徴とする半導体基板の評価方法。【選択図】 図１ |
