| 摘要 |
【課題】温度や時間等に係る処理条件の管理が容易で、体積抵抗率の面内分布が極めて少ないニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板とその製造方法を提供する。【解決手段】チョコラルスキー法で育成したＬＮ単結晶を用いてＬＮ基板を製造する方法であり、単結晶中のＦｅ濃度が５０質量ｐｐｍ以上、１０００質量ｐｐｍ以下で、かつ、基板の状態に加工されたＬＮ単結晶を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ2Ｏ3の混合粉末に埋め込み、４５０℃以上５００℃未満の温度で熱処理して体積抵抗率が１×１０8Ω・ｃｍ以上１×１０10Ω・ｃｍ以下の範囲に制御されたニオブ酸リチウム単結晶基板を製造することを特徴とする。【選択図】なし |
