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经营范围
发明名称
記憶素子および記憶装置
摘要
低電流書き込み時の抵抗値の保持性能を向上させることが可能な記憶素子および記憶装置を提供する。本技術の記憶素子は、第1電極、記憶層および第2電極をこの順に有し、記憶層は、周期律表第4族、第5族および第6族から選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素とテルル(Te),硫黄(S)およびセレン(Se)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素とホウ素(B)および炭素(C)のうちの少なくとも1種とを含むイオン源層と、第1電極および第2電極への電圧印加によって抵抗が変化する抵抗変化層とを備える。
申请公布号
JPWO2014103691(A1)
申请公布日期
2017.01.12
申请号
JP20140554292
申请日期
2013.12.10
申请人
ソニー株式会社
发明人
清 宏彰;大場 和博;野々口 誠二
分类号
H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
主权项
地址
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