炭化珪素半導体装置およびその製造方法

摘要

炭化珪素基板のオフ角が半導体装置の特性に与える影響を低減し、動作安定性の向上と低抵抗化を実現できる炭化珪素半導体装置を提供する。オフ角を有する炭化珪素半導体基板に形成されたトレンチゲート型炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ半導体装置において、ウェル領域の中の前記トレンチの第１側壁面側に低チャネルドープ領域を設け、ウェル領域の中の前記トレンチの第２側壁面側に前記低チャネルドープ領域より実効的アクセプタ濃度が低い高チャネルドープ領域を設ける。