電界効果トランジスタおよびその製造方法

摘要

高い電流密度と低いコンタクト抵抗を両立し、良好な特性を有する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。基板上に形成されたチャネル層と、チャネル層上に形成されたＩｎＡｌＮ層と、ＩｎＡｌＮ層上に形成されたＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）と、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ層上に形成されたソース電極、ドレイン電極とを備える。