| 摘要 |
【課題】不揮発性メモリを有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】不揮発性メモリのメモリゲート電極部ＭＧの端部１Ｓに第１電位１Ｖを印加し、メモリゲート電極部ＭＧの端部２Ｓに第１電位１Ｖより低い第２電位０Ｖを印加することにより、メモリゲート電極部ＭＧの延在方向に電流ｉを流した後（Ｓｔ１）、メモリゲート電極部ＭＧからその下方の電荷蓄積部へホールｈを注入することにより、電荷蓄積部に蓄積された電子を消去する（Ｓｔ２）。このように、メモリセル領域ＭＡのメモリゲート電極部ＭＧに電流を流すことで、ジュール熱を発生させ、メモリセルを加熱することができる。よって、低温で消去特性が劣化するＦＮトンネル方式による消去の際、メモリゲート電極部ＭＧを加熱することで、消去速度を向上させることができる。【選択図】図１５ |
