| 摘要 |
【課題】結晶中の析出物の微細化を更に進展させたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶及びその製造方法の提供。【解決手段】ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を育成する工程１と、工程１によって得られた育成結晶を、９００〜１０５０℃の温度範囲において、Ｃｄ蒸気圧を印加した状態、好ましくは、結晶温度が９４０〜９６０℃でＣｄ蒸気圧が０．０４９９〜０．０５８２ＭＰａの条件下で熱処理する工程２によって、粒径０．１〜１．０μｍ未満の析出物の個数密度が３×１０4個／ｃｍ2以下であるＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を製造する方法。【選択図】なし |
