| 摘要 |
【課題】親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理において、基板上に所定のパターンを適切に形成する。【解決手段】ウェハＷ上にポリスチレン膜４０４により円形状のパターンを複数形成し、次いでウェハＷ上にブロック共重合体を塗布する。ブロック共重合体を親水性ポリマー４１１と疎水性ポリマー４１２に相分離させる。親水性ポリマー４１１の分子量の比率は、親水性ポリマー４１１が円柱形状に配列するように２０％〜４０％に調整され、ポリスチレン膜４０４による円形状のパターンの直径は、親水性ポリマー４１１間のピッチをＬ０、親水性ポリマー１１の半径をＲとすると、２（Ｌ０−Ｒ）以下に設定されている。【選択図】図１６ |
