| 摘要 |
반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는 제 1 활성 영역 및 제 2 활성 영역을 포함하는 반도체 기판으로서, 상기 제 1 및 제 2 활성 영역들은 동일한 도전형을 갖는 것, 상기 제 1 활성 영역 상의 제 1 게이트 전극, 상기 제 1 게이트 전극과 상기 반도체 기판 사이에 개재된 제 1 고유전층, 상기 제 2 활성 영역 상의 제 2 게이트 전극, 상기 제 2 게이트 전극과 상기 반도체 기판 사이에 개재된 제 2 고유전층, 및 상기 제 2 게이트 전극과 상기 제 2 고유전층 사이에 개재된 제 3 고유전층을 포함하되, 상기 제 1 고유전층은 제 1 일함수 조절 물질을 포함하고, 상기 제 2 및 제 3 고유전층들은 제 2 일함수 조절 물질을 포함한다. |
