发明名称 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF
摘要 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 시스템은 제1 및 제2 불휘발성 메모리 장치들, 및 하나의 채널을 통해 제1 및 제2 불휘발성 메모리 장치들을 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함한다. 프로그램 동작시, 메모리 컨트롤러는 제1 페이지 데이터를 제1 불휘발성 메모리 장치에 셋업하기 위한 제1 신호들을 하나의 채널을 통해 제1 불휘발성 메모리 장치로 전송한다. 제1 불휘발성 메모리 장치가 제1 신호들에 응답하여 제1 페이지 데이터를 셋업하는 동안, 메모리 컨트롤러는 제2 페이지 데이터를 제2 불휘발성 메모리장치에 셋업하기 위한 제2 신호들 중 적어도 하나를 제2 불휘발성 메모리 장치로 전송한다.
申请公布号 KR20170005285(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 KR20150094804 申请日期 2015.07.02
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김진우;김승연;박재근;신효덕;이영근;조영진
分类号 G06F12/02;G06F13/16 主分类号 G06F12/02
代理机构 代理人
主权项
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