| 发明名称 |
Ｇｅ系光素子及びその製造方法 |
| 摘要 |
【課題】Ｇｅ系光素子及びその製造方法に関し、Ｇｅ系半導体層の高を低くして、Ｓｉフォトニクスのプロセスのインテグレーションを容易にする。【解決手段】単結晶シリコン基板上に設けられた酸化膜に開口部を形成し、この開口部に酸化膜の頂面から５００ｎｍ以下の高さでその頂面が突出するＧｅを含むＩＶ族半導体層を形成し、このＧｅを含むＩＶ族半導体層の表面側に第導電型領域及び第２導電型領域を形成してラテラル構造のｐｉｎ接合を形成する。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017011020(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
| 申请号 |
JP20150122817 |
申请日期 |
2015.06.18 |
| 申请人 |
富士通株式会社;技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 |
发明人 |
奥野 昌樹;下山 峰史;奥村 滋一 |
| 分类号 |
H01L31/10;G02B6/12;G02F1/025 |
主分类号 |
H01L31/10 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
