| 摘要 |
본 발명은 반도체 레이저를 생성하기 위한 방법, 및 중첩된 층들을 갖는 층 구조를 포함하는 반도체 층(1)에 관한 것으로, 중첩된 층들은 적어도: a. n-도핑 외부층(10), b. 제 3 도파관층(11), c. 액티브 존(6) ― 액티브 존(6)에 광 발생 구조물들이 배열됨 ―, d. 제 2 도파관층(13), e. 블록킹층(14), f. 제 1 도파관층(15), g. p-도핑 외부층(16)의 층 구조를 갖고, 제 1, 제 2, 및 제 3 도파관층들(15, 13, 11)은 적어도 AlxInyGa(1-x-y)N을 갖고, x는 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, y는 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, x와 y의 합은 0 내지 1의 값들로 가정될 수 있고, 블록킹층(14)은, 인접한 제 1 도파관층(15)의 Al 함량보다 적어도 2% 더 높은 Al 함량을 갖고, 블록킹층(14)의 Al 함량은 제 1 도파관층(15)부터 제 2 도파관층(13)을 향해 증가되고, 층 구조는 양면 그래듀에이션(9)을 갖고, 양면 그래듀에이션(9)은 블록킹층(14)의 높이로 배열되어서, 블록킹층(14)의 적어도 하나의 부분 또는 전체 블록킹층(14)이 제 1 도파관층(15)보다 폭이 더 크다. 본 발명은 추가로, 반도체 레이저를 생성하기 위한 방법에 관한 것이다. |
