发明名称 薄膜トランジスタ基板、液晶表示素子、感放射線性樹脂組成物および薄膜トランジスタ基板の製造方法
摘要 【課題】画素の開口率と電荷保持能の向上が容易で製造の容易な薄膜トランジスタ基板および液晶表示素子を提供し、感放射線性樹脂組成物および薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ基板100は、基板1と、TFT2と、平坦化膜5と、平坦化膜5を覆う層間絶縁膜6と、層間絶縁膜6上の画素電極7と、層間絶縁膜6および平坦化膜5の間に配置されて画素電極7に対向する補助容量電極3とを有する。層間絶縁膜6は、[A]重合体、[B]感光剤並びに[C]チタン、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム、ジルコニウムおよび鉛からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む化合物を含む感放射線性樹脂組成物から形成される。薄膜トランジスタ基板100と対向基板110により液晶層111を挟持して液晶表示素子200を提供する。【選択図】図2
申请公布号 JP2017009673(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20150122385 申请日期 2015.06.17
申请人 JSR株式会社 发明人 田中 圭;石川 大佑;清水 政宏;松本 貴博
分类号 G02F1/1368 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人
主权项
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