| 摘要 |
【課題】順方向電圧降下を小さくするとともに、逆回復時の波形振動を抑制し、かつソフトリカバリー特性を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】ｎ-半導体基板のおもて面側には、ＩＧＢＴ部２１からＦＷＤ部２２にわたってｐベース層２と、トレンチ３、ゲート酸化膜４およびゲート電極５からなるトレンチゲートと、エミッタ電極８とが設けられている。隣り合うトレンチ３の間に挟まれたｐベース層２のうち、ｎ+エミッタ領域６を有するｐベース層２は、ＩＧＢＴエミッタ部３１である。隣り合うトレンチ３の間に挟まれたｐベース層２のうち、ｎ+エミッタ領域６を有していないｐベース層２は、ＦＷＤアノード部３２である。ｎ+カソード領域１２の短手方向幅Ｌ12は、ＦＷＤアノード部３２の短手方向幅Ｌ32よりも狭い。ＦＷＤアノード部３２の短手方向幅Ｌ32とｎ+カソード領域１２の短手方向幅Ｌ12との差分ΔＬ1は、５０μｍ以上である。【選択図】図２ |
