| 摘要 |
【課題】高密度実装される電子部品からの熱を従来よりも高い効率で放出できる回路基板を提供すること。【解決手段】回路基板２は、アルミニウム製の基材３１の表面３１ａの側に積層された第１配線層３３と第２配線層３４を有する。第２配線層３４は第１配線層３３と基材３１の間に位置する。第１配線層３３は、ウエハーレベルチップサイズパッケージ４の端子３０ａであるＢＧＡ３０が載置されて接続されるランド４０を備える。ランド４０は、積層方向Ｚから見た場合に当該ランド４０と重なる位置に形成されたビアフィルメッキ４１により第２配線層３４に導通する。ウエハーレベルチップサイズパッケージ４の熱は、ランド４０、ビアフィルメッキ４１、第２配線層３４を介して基材３１に伝達されて、基材３１から放出される。【選択図】図３ |
