| 摘要 |
본 발명의 한 가지 양태에 따라서, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 하부 전극 상에 산화막 또는 질화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 또는 질화막을 소정의 패턴으로 식각하여, 상기 제1 하부 전극을 부분적으로 노출시키는 단계; 상기 노출된 제1 하부 전극 상에 전해도금을 이용하여 백금을 패턴화된 형태로 적층하여, 패턴화된 제2 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 산화막 또는 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리(ReRAM) 제조 방법이 제공된다. |
