晶体管及其制作方法

摘要

一种晶体管及其制作方法。所述方法包括：分别以位于栅极结构侧壁的第一侧壁层以及位于所述第一侧壁层侧壁的牺牲侧壁层为掩膜，刻蚀半导体衬底，先后形成第一凸起部和第二凸起部，在所述第二凸起部侧壁形成介质层；在所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层的表面覆盖第一凸起部的表面和第二凸起部的表面；第二凸起部两侧的外延层为源-漏区，所述介质层位于半导体衬底内源-漏区在沟道内易穿通的位置。本发明以位于半导体衬底内的介质层代替现有技术的Halo或Pocket结构，使源-漏区在沟道内易穿通的区域被完全隔离，在源-漏区离子注入后，保证器件电荷的迁移率不受影响的同时有效地抑制了因器件尺寸减小引起的源漏极穿通等短沟道效应。

主权项

一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上已形成有栅极结构；在所述栅极结构侧壁形成第一侧壁层；以所述第一侧壁层为掩膜刻蚀部分厚度的所述半导体衬底，使所述半导体衬底形成第一凸起部；在所述第一侧壁层表面和第一凸起部侧壁形成牺牲侧壁层；以所述牺牲侧壁层为掩膜刻蚀部分厚度的所述半导体衬底，使所述半导体衬底形成第二凸起部；在所述第二凸起部侧壁形成介质层；去除所述牺牲侧壁层，在所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层的表面覆盖所述第一凸起部的表面和第二凸起部的表面；向所述第一凸起部的半导体衬底内及所述第一凸起部两侧的外延层内进行第一离子注入工艺，形成轻掺杂区；在所述第一侧壁层表面形成第二侧壁层，且所述第二侧壁层覆盖轻掺杂区顶面；向所述第二凸起部两侧的外延层内进行第二离子注入工艺，形成源‑漏区。