发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种提高针对接合时的应力的耐性的半导体装置,在接合焊盘(301)的周围隔着空隙(601)配置有布线层(303),钝化膜(401)比形成接合焊盘(301)的布线层(303)的膜厚更薄,空隙(601)的宽度为钝化膜厚的2倍以下,且钝化膜比布线层更薄。
申请公布号 CN106328626A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201610500365.X 申请日期 2016.06.30
申请人 精工半导体有限公司 发明人 岛崎洸一
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 何欣亭;姜甜
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体衬底;设在所述半导体衬底的表面的绝缘膜;设在所述绝缘膜上的接合焊盘;覆盖所述接合焊盘的、膜厚比所述接合焊盘的膜厚更薄的钝化膜;以及在所述接合焊盘的周围隔着空隙而配置的最上层的布线层,所述空隙的宽度为所述钝化膜的膜厚以上且所述钝化膜的侧壁厚的2倍以下。
地址 日本千叶县