| 发明名称 | 一种超结器件终端分压区的结构和制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种超结器件终端分压区的结构和制作方法，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电类型衬底之上的第一导电类型的外延层；所述外延层内设置有分压区的第二导电类型掺杂柱，所述分压区的第二导电类型掺杂柱与有源区中的第二导电类型掺杂柱不接触，所述分压区的第二导电类型掺杂柱为台阶状，所述台阶的竖直高度从靠近有源区的一端到远离有源区的一端依次逐个降低；所述外延层内远离所述有源区的一侧设置有第一导电类型重掺杂区，所述重掺杂区与所述分压区的第二导电类型掺杂柱不接触。本发明解决了传统超结器件的终端结构会产生大量的界面电荷，影响分压效果，降低击穿电压的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106328688A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510382305.8 | 申请日期 | 2015.07.02 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种超结器件终端分压区的结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电类型衬底之上的第一导电类型的外延层；所述外延层内设置有分压区的第二导电类型掺杂柱，所述分压区的第二导电类型掺杂柱与有源区中的第二导电类型掺杂柱不接触，所述分压区的第二导电类型掺杂柱为台阶状，所述台阶的竖直高度从靠近有源区的一端到远离有源区的一端依次逐个降低；所述外延层内远离所述有源区的一侧设置有第一导电类型重掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区与所述分压区的第二导电类型掺杂柱不接触。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||