发明名称 |
晶圆中氧沉淀的检测方法 |
摘要 |
本发明提供了一种晶圆中氧沉淀的检测方法,其通过将正常晶圆和待检测晶圆置于相同条件的氮气或者惰性气体氛围中,并对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的先升温后降温操作向正常晶圆和待检测晶圆注入大量空位;通过对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的碳离子注入工艺使得氧沉淀快速长大,形成含碳的较大颗粒的氧沉淀;通过对碳离子注入工艺后的正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的择优腐蚀使得氧沉淀作为缺陷暴露出来,从而通过比较择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆表面的缺陷情况即可判定出待检测晶圆中的氧沉淀是否过量。 |
申请公布号 |
CN106328549A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510349911.X |
申请日期 |
2015.06.19 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
陈林 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种晶圆中氧沉淀的检测方法,其特征在于,包括:取正常晶圆和待检测晶圆,将所述正常晶圆和待检测晶圆置于相同条件的氮气或者惰性气体氛围中,并对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的先升温后降温操作;对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的碳离子注入工艺;对碳离子注入工艺后的正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的择优腐蚀;比较择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆,根据择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆表面的缺陷情况,判定待检测晶圆中的氧沉淀是否过量。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |