| 主权项 |
一种抗单粒子翻转的加固SRAM电路，其特征在于，包括：读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块；读写模块，用于在字线信号WL为高电平时，对第三节点(n3)和第四节点(n4)的数据读出/写入；隔离模块包括：第一隔离单元和第二隔离单元；第一隔离单元包括：第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)，其中，第三PMOS管(MP3)的源极连接至第五节点(n5)；第四PMOS管(MP4)的源极连接至第六节点(n6)；第二隔离单元包括：第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)，其中，第一NMOS管(MN1)的源极连接至第一节点(n1)，第二NMOS管的源极连接至第二节点(n2)；其中，第三PMOS管(MP3)和第一NMOS管(MN1)的漏极、第四PMOS管(MP4)和第二NMOS管(MN2)的栅极，共同连接第三节点(n3)；第三PMOS管(MP3)和第一NMOS管(MN1)的栅极、第四PMOS管(MP4)和第二NMOS管(MN2)的漏极，共同连接至第四节点(n4)；上拉模块包括：第一上拉单元和第二上拉单元；下拉模块包括：第一下拉单元和第二下拉单元；其中，第一上拉单元和第二下拉单元共同作用，用于保持第五节点(n5)和第六节点(n6)其中之一为高电平，其中另一为低电平；第二上拉单元和第一下拉单元共同作用，用于保持第一节点(n1)和第二节点(n2)其中之一为高电平，其中另一为地低电平。 |
