发明名称 静态随机存储单元
摘要 本发明公开了一种静态随机存储单元,包括第一反相器、第二反相器、写传输晶体管、读传输晶体管和控制晶体管。其中,第一反相器输入端与第二反相器输出端电连接。写传输晶体管的第一电流传导电极与WBL电连接,第二电流传导电极与第二反相器输入端电连接。读传输晶体管的第一电流传导电极与RBL电连接,第二电流传导电极与第二反相器输出端电连接。控制晶体管的第一电流传导电极与第一反相器输出端电连接,第二电流传导电极与第二反相器输入端电连接。其中控制晶体管在写操作时处于截止状态,断开第一反相器输出端和第二反相器输入端之间的电连接。从而可在写操作时,有效避免电流通过写传输晶体管流向接地点的情况发生,有效提高写容限。
申请公布号 CN106328190A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201510373294.7 申请日期 2015.06.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 张弓
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 刘剑波
主权项 一种静态随机存储单元,其特征在于,包括第一反相器、第二反相器、写传输晶体管、读传输晶体管和控制晶体管,其中:第一反相器的输入端与第二反相器的输出端电连接;写传输晶体管的控制电极与写字线WWL电连接,写传输晶体管的第一电流传导电极与写位线WBL电连接,写传输晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输入端电连接;读传输晶体管的控制电极与读字线RWL电连接,读传输晶体管的第一电流传导电极与读位线RBL电连接,读传输晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输出端电连接;控制晶体管的控制电极与控制线CG电连接,控制晶体管的第一电流传导电极与第一反相器的输出端电连接,控制晶体管的第二电流传导电极与第二反相器的输入端电连接。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号