| 摘要 |
包括场效应晶体管的功率半导体电路。本发明涉及功率半导体电路，其包括具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)作为端子的场效应晶体管(T1,T2)，并且包括具有驱动设备(2)和欠压检测电路(5)的控制设备(3)，其中驱动设备(2)被设计用于驱动场效应晶体管(T1,T2)并且电连接至场效应晶体管(T1,T2)的栅极(G)，其中欠压检测电路(5)被设计用于如果存在于场效应晶体管(T1,T2)的漏极(D)和源极(S)之间的功率半导体电压(U1,U2)降至低于特定电压值(Uw)则生成欠压检测信号(F)，其中驱动设备(2)被设计用于当存在用于导通场效应晶体管(T1,T2)的导通命令和欠压检测信号(F)时则导通场效应晶体管(T1,T2)。本发明提供了具有低能量损失的功率半导体电路(4,4’)。 |
| 主权项 |
功率半导体电路，包括具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)作为端子的场效应晶体管(T1,T2)，以及包括具有驱动设备(2)和欠压检测电路(5)的控制设备(3)，其中所述驱动设备(2)被设计用于驱动所述场效应晶体管(T1,T2)并且电连接至所述场效应晶体管(T1,T2)的所述栅极(G)，其中所述欠压检测电路(5)被设计用于如果存在于所述场效应晶体管(T1,T2)的所述漏极(D)和所述源极(S)之间的功率半导体电压(U1,U2)降至低于特定电压值(Uw)则生成欠压检测信号(F)，其中驱动设备(2)被设计用于当存在用于导通所述场效应晶体管(T1,T2)的导通命令和所述欠压检测信号(F)时导通所述场效应晶体管(T1,T2)。 |
