发明名称 |
一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座 |
摘要 |
一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座(Dual Zone Heater),包括基座主体,所述基座主体上设置晶圆凹槽,晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分,中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热。它是在传统的腔体晶圆基座(Heater)技术的基础上引入了双区加热温控技术,可以独立调控腔体晶圆基座中心区域和边缘区域的温度,来改善300mm尺寸晶圆在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中薄膜沉积的均匀性,从而提高产品的良率。 |
申请公布号 |
CN205874537U |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201620884628.7 |
申请日期 |
2016.08.16 |
申请人 |
上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
发明人 |
徐光 |
分类号 |
C23C16/46(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/46(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座,包括基座主体,所述基座主体上设置晶圆凹槽,其特征在于:晶圆凹槽分为中心区域和边缘区域两部分,中心区域和边缘区域采用两套内嵌加热元件及温度传感器来独立加热,中心区域位置设置中心区域内嵌加热元件,中心区域内嵌加热元件连接中心区域加热元件电源线和中心区域热电偶温度传感器,边缘区域位置设置边缘区域内嵌加热元件,边缘区域内嵌加热元件连接边缘区域加热元件电源线和边缘区域热电偶温度传感器。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区郭守敬路498号19501室 |