发明名称 トレンチを充填する方法及び処理装置
摘要 The present disclosure provides a method for filling a trench formed on an insulating film of a workpiece. The method includes forming a first impurity-containing amorphous silicon film on a wall surface which defines the trench, forming a second amorphous silicon film on the first amorphous silicon film, and annealing the workpiece after the second amorphous silicon film is formed.
申请公布号 JP6059085(B2) 申请公布日期 2017.01.11
申请号 JP20130110738 申请日期 2013.05.27
申请人 東京エレクトロン株式会社 发明人 鈴木 大介;高橋 和也;岡田 充弘;小森 克彦;小野寺 聡
分类号 H01L21/205;H01L21/76 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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