发明名称 |
一种N型纳米黑硅的制备方法以及太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种N型纳米黑硅的制备方法及太阳能电池的制备方法,通过如下步骤制备N型纳米黑硅:(1)使清洗后的N型硅片在KOH和异丙醇的混合溶液中反应0.5~2h,反应温度为60~100℃;(2)将经过步骤(1)处理后的N型硅片置于银纳米颗粒溶液中静置20min~30min,烘干后并进行腐蚀处理即得到N型纳米黑硅。制备太阳能电池时在制备得到的N型纳米黑硅的前表面依次形成N+层、氮化硅层和电极层后进行烧结即得到N型纳米黑硅太阳能电池。本发明制备得到的黑硅电池反射率低、载流子寿命高,转换效率相比于较常规方法高2.2%。 |
申请公布号 |
CN104409564B |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201410605032.4 |
申请日期 |
2014.10.31 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
汪雷;戴准;庄重源;王明昂;张军娜;唐勋;杨德仁 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,制备N型纳米黑硅,然后在制备得到的N型纳米黑硅的前表面依次形成N+层、氮化硅层和电极层后进行烧结即得到N型纳米黑硅太阳能电池;所述的电极层采用全铝背印刷法制备得到;N型纳米黑硅的制备方法,包括以下步骤:(1)使清洗后的N型硅片在KOH和异丙醇的混合溶液中反应0.5~2h,反应温度为60~100℃;(2)将经过步骤(1)处理后的N型硅片置于银纳米颗粒溶液中静置20min~30min,烘干后并进行腐蚀处理即得到N型纳米黑硅。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |