发明名称 一种硫化镉气相合成方法
摘要 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法,包括如下步骤:第一步,将纯度≥6N的硫和镉按照1.1‑1.3:1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室和镉蒸发室内;第二步,往反应室内先通氩气1‑1.5小时,氩气的流量为500‑600ml/min,去除反应室内的空气干扰;第三步,持续通氩气的同时对反应室进行反应升温,通过载流气体氩气运输镉和硫两种气流进入到合成室,进行反应;对反应室进行反应升温时,先升温位于反应室中部的合成室温度,再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度,并保持该氩气流量;恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度,并恒温6‑8h;待反应系统降低到室温时取出合成产物‑硫化镉。气相合成过程中不会掺杂杂质,故合成出来的硫化镉多晶具有很高的纯度。
申请公布号 CN104313686B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201410599785.9 申请日期 2014.10.31
申请人 峨嵋半导体材料研究所 发明人 曹昌威;詹科;种娜;张程;杨旭
分类号 C30B28/14(2006.01)I;C30B29/50(2006.01)I 主分类号 C30B28/14(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 巫敏;钱成岑
主权项 一种硫化镉气相合成方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:第一步,将纯度≥6N的硫和镉按照(1.1‑1.3):1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室内和镉蒸发室;第二步,往反应室内先通氩气1‑1.5小时,氩气的流量为500‑600ml/min,去除反应室内的空气干扰;第三步,持续通氩气的同时对反应室进行反应升温,通过载流气体氩气运输硫和镉两种气流进入到合成室,进行反应;对反应室进行反应升温时,先升温位于反应室中部的合成室温度,待合成室温度达到1020‑1120℃时,再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度,待镉蒸发室的温度为720‑870℃时,调整镉蒸发室通氩气的流量为150‑200ml/min,并保持该氩气流量;待硫蒸发室的温度为270‑350℃时,调整硫蒸发室通氩气的流量为450‑500ml/min,并保持该氩气流量;恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度,并恒温6‑8h;第四步,反应结束后,将镉蒸发室、硫蒸发室、合成室加热停止,持续通氩气,待合成室温度降到400℃时,停止通氩;待反应系统降低到室温时取出合成产物‑硫化镉。
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