发明名称 |
MEMS传感器 |
摘要 |
本发明提供一种即使形成基于铝的配线层也能够抑制由热滞引起的输出变动的MEMS传感器。在正方形的MEMS传感器(1)的4个角部形成有金的电极片(16a、16b、16c、16d)。电极片(16a、16b、16c、16d)与检测元件部(15a、15b、15c)通过连结配线层(20、25)导通。连结配线层(20、25)由铝的下部配线层(21、26)和金的上部配线层(22、27)构成。通过以适当的长度将铝的下部配线层(21、26)平衡良好地配置,能够抑制因热滞引起的基于残留应力的输出变动。 |
申请公布号 |
CN104760923B |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201410806304.7 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
阿尔卑斯电气株式会社 |
发明人 |
田中健一;大川尚信;矢泽久幸;朝比奈宏行;臼井学;石曽根昌彦;梅津英治 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐冰冰;黄剑锋 |
主权项 |
一种MEMS传感器,将同为硅基板的第一基板及第二基板重叠而成,其特征在于:上述第一基板具有空间部和包围该空间部的框体部,在上述第二基板形成有与上述空间部对置的可挠曲变形的探测部、和得到与上述探测部的挠曲变形相应的检测输出的检测元件部,在上述第二基板的表面形成有绝缘层,在上述绝缘层的表面形成有电极片,在上述电极片与上述检测元件部之间形成有连结配线层,上述连结配线层由形成在上述第二基板与上述绝缘层之间而与上述检测元件部连接的铝的下部配线层、和在上述绝缘层的表面从上述电极片开始延伸的上部配线层构成,上述上部配线层由与铝相比因温度变化引起的残留应力的变动小的导电性金属材料形成,上述上部配线层和上述下部配线层在设于上述绝缘层的开口处相互导通。 |
地址 |
日本东京都 |