一种用于激光设备的氮化硅多孔陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于激光设备的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，属于特种陶瓷材料技术领域，包括以下步骤，按重量份计，取35～85％氮化硅粉、3～15％碳酸铵、3～15％聚丙烯酸胺、4～10％SiO₂、1～5％Al₂O₃、1～5％MgO、2～10％B₂O₃和1～5％Li₂O作为原料，将原料球磨2～6h，然后加入原料重量5～30倍的水，混合均匀，放入模具中压制成型，得氮化硅陶瓷坯体，在氮气气氛中煅烧，冷却得到氮化硅多孔陶瓷。本发明通过引入胺系造孔剂，有利于减少原料残留，减少坯体烧结过程中体积的收缩率，并形成畅通的孔道，减少裂纹的发生，降低废品率。

主权项

一种用于激光设备的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，按重量份计，取35～85％氮化硅粉、3～15％碳酸铵、3～15％聚丙烯酸胺、4～10％SiO₂、1～5％Al₂O₃、1～5％MgO、2～10％B₂O₃和1～5％Li₂O作为原料，将原料球磨2～6h，然后加入原料重量5～30倍的水，混合均匀，放入模具中压制成型，得氮化硅陶瓷坯体，在氮气气氛中煅烧，冷却得到氮化硅多孔陶瓷。