发明名称 一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管及其制备方法
摘要 本发明提供的一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,其结构如图1所示,由图可知该有机场效应晶体管为底栅顶接触式,包括源电极(1)、漏电极(2)、有机半导体层(3)、绝缘层(4)、栅电极(5)和衬底(6);该传感器中,构成衬底的材料为硅;构成栅电极的材料为金属金;构成绝缘层的材料为二氧化硅;构成有机半导体层的材料为并五苯;构成源电极和漏电极的材料为金属金。绝缘层采用中空结构,形成横梁,有机半导体层覆盖于横梁上方,当有机场效应晶体管受到震动影响时有机半导体层和绝缘层界面处发生变化,有机场效应晶体管载迁移率改变。
申请公布号 CN106328811A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201510348850.5 申请日期 2015.06.16
申请人 中国计量学院 发明人 钱宏昌;唐莹;郑亚开;马力超;彭应全
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 制备下述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,包括如下步骤:1)在衬底上制备栅电极;2)在所述步骤1)得到的电极上涂光刻胶进行光刻,形成保护层;3)在所述步骤2)的保护层上通过化学汽相淀积的方法制备二氧化硅绝缘层;4)将所述步骤3)得到的带有保护层、绝缘层的衬底进行去光刻胶处理,保护层被去除,形成中空结构;5)在所述步骤3)得到的去光刻胶过后的绝缘层上制备有机半导体层;6)制备源电极和漏电极,得到所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管;所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,包括衬底(6)、位于所述衬底之上的栅电极(5)和位于所述栅电极之上的绝缘层(4);所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管还包括位于所述绝缘层之上的有机半导体层(3)以及位于所述有机半导体层之上的源电极(1)、漏电极(2)。
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