| 发明名称 | 一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在埋氧化层的上方；线性氧化层位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内表面；氧化层或氧化绝缘层被线性氧化层包围，且位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内部，线性氧化层位于隔离槽和SOI材料顶层硅之间。本发明不仅提高集成电路的抗辐射能力，同时简化大线宽工艺条件下厚硅膜SOI全介质隔离工艺的复杂度和难度，突破一次性形成场区和全介质隔离区，并保证硅表面形貌平坦。 | ||
| 申请公布号 | CN106328651A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610833270.X | 申请日期 | 2016.09.19 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 发明人 | 李燕妃;朱少立;吴建伟;洪根深 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人 | 杨立秋 |
| 主权项 | 一种用于SOI工艺的介质隔离结构，包括P型衬底(1)、埋氧化层(2)和SOI材料顶层硅(3)，其特征在于，还包括全介质隔离槽(42)、部分介质隔离槽(52)、线性氧化层(22)和氧化层(24)或氧化绝缘层(25)，所述全介质隔离槽(42)和部分介质隔离槽(52)位于SOI材料顶层硅(3)内且在埋氧化层(2)的上方；所述线性氧化层(22)位于全介质隔离槽(42)和部分介质隔离槽(52)的内表面；所述氧化层(24)或氧化绝缘层(25)被线性氧化层(22)包围，且位于全介质隔离槽(42)和部分介质隔离槽(52)的内部，线性氧化层(22)位于隔离槽和SOI材料顶层硅(3)之间。 | ||
| 地址 | 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 | ||