| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部和隔离层，所述隔离层位于所述鳍部的部分侧壁表面，所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面具有界面层；采用干法刻蚀工艺去除所述界面层，所述干法刻蚀工艺的气体包括含氟气体；在去除所述界面层之后，对所述鳍部的侧壁和顶部表面进行表面处理工艺，所述表面处理的气体包括含氮气体。所述半导体结构的形成方法能够去除鳍部表面残留的杂质，使所形成的鳍式场效应晶体管性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN106328694A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510373552.1 | 申请日期 | 2015.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部和隔离层，所述隔离层位于所述鳍部的部分侧壁表面，所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面具有界面层；采用干法刻蚀工艺去除所述界面层，所述干法刻蚀工艺的气体包括含氟气体；在去除所述界面层之后，对所述鳍部的侧壁和顶部表面进行表面处理工艺，所述表面处理的气体包括含氮气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||