| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括：鳍结构，形成在衬底的上方；以及栅极结构，横越在鳍结构上方。栅极结构包括栅电极层，栅电极层包括位于鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在上部和下部之间形成虚拟界面，并且下部具有从虚拟界面至下部的底面逐渐减小的减小的宽度。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106328711A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610511247.9 | 申请日期 | 2016.07.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建颖;张家玮;陈臆仁;杨柏峰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：鳍结构，形成在衬底上方；以及栅极结构，横越在所述鳍结构上方，其中，所述栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括位于所述鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在所述上部和所述下部之间形成有虚拟界面，并且所述下部具有从所述虚拟界面至所述下部的底面逐渐减小的减小的宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||