一种多量子点核‑二氧化硅壳复合结构的制备方法及其在LED中的应用

摘要

本发明涉及一种多量子点核‑二氧化硅壳复合结构的制备方法及其在LED中的应用，使用油酸，十二硫醇，油胺多化学试剂修饰的方法合成了多表面修饰剂的Cu掺杂的Zn‑In‑S量子点结构。通过控制和改变Cu掺杂的量合成了不同发射荧光的量子点结构。将多个量子点结构于液相环境中包裹到几十纳米的二氧化硅小球中，并将该复合结构置于GaN芯片的表面，成功地获得了颜色可调的量子点LED，另外，掺杂量子点较宽的发射峰也有利于实现量子点白光LED。

主权项

一种多量子点核‑二氧化硅壳复合结构的制备方法，其特征在于：步骤如下：(1)合成油溶性的CZIS/ZnS量子点：将Cu源、Zn(OAc)₂、In(OAc)₃、硫粉、十二硫醇、油胺和油酸加入到三颈烧瓶中，在90‑110℃下除气18‑22min后，将混合物在氮气下加热到220‑240℃，反应8‑12min后，猝灭反应；将反应混合液冷却至75‑85℃后，将油胺和十八烯溶解的Zn(OAc)₂溶液加入到上述混合液中，原位将ZnS壳长在CZIS核上；最后，将系统的温度上升到230‑250℃反应18‑22min，加入甲苯猝灭反应；(2)多量子点核‑二氧化硅壳复合结构的制备将聚氧代乙烯(5)壬基苯基醚，环己烷和油溶性的CZIS/ZnS量子点混合均匀后，加入NH₄OH，2‑3min后，加入正硅酸四乙酯搅拌22‑26h得到复合结构，乙醇清洗后即得产物。