一种形成浅沟槽隔离的方法

摘要

本发明提供一种形成浅沟槽隔离的方法，所述方法包括：提供一晶圆，于所述晶圆表面向上设置隧道氧化层，浮栅极多晶硅层，硬质掩膜，正硅酸乙酯，底部抗反射层和光阻层；对所述光阻层曝光显影；对所述底部抗反射层刻蚀进行刻蚀，并对所述光阻进行硬化处理；对所述正硅酸乙酯层和所述硬质掩膜层进行刻蚀；去除所述光阻层和所述底部抗反射层；对所述浮栅极多晶硅层、所述隧道氧化层与所述晶圆衬底进行刻蚀。通过本发明的一种改善自对准浅沟槽隔离工艺中有源区线宽扭曲的刻蚀方案能够改进45nm技术节点以下自对准浅沟槽刻蚀工艺中有源区线形扭曲，以及沟槽深度局部不均一性。

主权项

一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：提供一晶圆衬底，于所述晶圆表面向上依次设置隧道氧化层、浮栅极多晶硅层、硬质掩膜层、低压正硅酸乙酯层、底部抗反射层和光阻层；步骤S2：对所述晶圆上所述光阻层进行曝光显影，使所述光阻层上形成图案凹口，成为可供刻蚀使用的光阻掩膜层；步骤S3：以所述光阻掩膜层为刻蚀掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀，刻蚀终止于所述低压正硅酸乙酯层上表面，并对所述光阻掩膜层进行硬化处理；步骤S4：以所述光阻掩膜层为刻蚀掩膜对所述低压正硅酸乙酯层和所述硬质掩膜层进行刻蚀，刻蚀终止于所述浮栅极多晶硅层上表面；步骤S5：去除所述光阻掩膜层和剩余的底部抗反射层；步骤S6：以所述经刻蚀后形成贯通凹口的低压正硅酸乙酯层为刻蚀掩膜，对所述晶圆上的所述浮栅极多晶硅层、所述隧道氧化层与所述晶圆衬底进行刻蚀，以在所述晶圆衬底中形成浅沟槽；所述低压正硅酸乙酯层的厚度根据所述浮栅极多晶硅层的厚度、所述隧道氧化层的厚度以及所述晶圆衬底的刻蚀深度，并结合刻蚀选择比来确定。