一种带分压环结构的片上高压电阻

摘要

本发明公开了一种带分压环结构的片上高压电阻，包括P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环以及P+环；在所述P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环的上表面还生长有场氧；在低掺杂N型深阱区上表面场氧的上方中部设置有第一Poly和第二Poly，第一Poly和第二Poly不贴合，在所述P衬底上还扩散有第一NW环和第二NW环，所述第一、第二NW环设置于场氧的下方，具体位置为低掺杂N型深阱区的外围、PW环之内，并且，第一NW环和低掺杂N型深阱区不贴合，第二NW环和PW环不贴合，第一NW环和第二NW环不贴合；第二Poly通过电阻内部连接端与第一Poly相连。本发明能够针对性的满足在高压环境下工作的AC‑DC电路的需求。

主权项

一种带分压环结构的片上高压电阻，包括P衬底、扩散在P衬底上中心位置的低掺杂N型深阱区、扩散在P衬底上低掺杂N型深阱区周围的P阱环以及扩散在P阱环上且处于P阱环内部的P+环；在所述P衬底、低掺杂N型深阱区、P阱环的上表面还生长有场氧；在低掺杂N型深阱区上表面场氧的上方中部设置有第一多晶，在所述第一多晶的周围设置有第二多晶，第一多晶和第二多晶不贴合，其特征在于：在所述P衬底上还扩散有第一N阱环，第一N阱环的周围还扩散有第二N阱环，所述第一、第二N阱环设置于场氧的下方，具体位置为低掺杂N型深阱区的外围、P阱环之内，并且，第一N阱环和低掺杂N型深阱区不贴合，第二N阱环和P阱环不贴合，第一N阱环和第二N阱环不贴合；所述第二多晶作为为高压电阻的电阻体，第二多晶通过电阻内部连接端与第一多晶相连，第二多晶通过电阻外部连接端与集成电路的低压模块相连。