3D NAND存储器装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其操作方法，该半导体装置包含多个有源位条状物，在该多个有源位条状物中，一端处连接耦合到一接垫，在另一端处通过一导线而相连。该装置包含多个存储单元相交于多个有源位条状物与多个字线上。该装置包含多个位串选择结构，该多个位串选择结构指位于该多个有源位条状物的多个侧栅极而这些侧栅极被配置成一交错状。该装置包含控制电路，该控制电路被配置以通过施加一接通电压到两个相邻且交错的位串选择结构而接通一特定有源位条状物，并且该控制电路被配置以通过施加一关断偏压到至少一个相邻且交错的位串选择结构而关断第二个有源位条状物。该关断偏压施加到该至少一相邻且交错位串选择结构可以是一接地电压、一非负电压、一浮动状态。

主权项

一种半导体装置，包括：多个有源位条状物，其中该多个有源位条状物中的多个有源位条状物的一端与一接垫耦合在一起，且另一端与一导线相连；多个字线；多个存储单元，位于该多个有源位条状物与该多个字线间的交叉点处；以及多个位串选择结构，其作为该多个有源位条状物中的有源位条状物的侧栅极，该多个位串选择结构被配置成一交错状；其中，该多个位串选择结构被设置在该接垫与该多个存储单元之间，该多个位串选择结构包含一第一子集合与一第二子集合，该第一子集合设置于距该接垫一第一距离范围内，该第二子集合设置于距该接垫一第二距离范围内，该第一距离范围与该第二距离范围不同；该多个有源位条状物中的多个有源位条状物在一第一侧上耦合到该第一子集合和该第二子集合其一中的一位串选择结构，且在相对于该第一侧的一第二侧上耦合到该第一子集合和该第二子集合其另一中的一位串选择结构。